• 型号
• 工作频率(GHz)
• 通道数
• 增益(dB)
• IP1dB(dBm)
• NF(dB)
• 移相位数
• 衰减位数
• 工艺
• 封装方式
• 芯片尺寸(mm2)

• ZRF8254
• 工作频率(GHz) 10~16
• 通道数 4×4(四波束)
• 增益(dB) 12
• IP1dB(dBm) -21
• NF(dB) 9
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装方式 WLCSP
• 芯片尺寸(mm2) 4.4×4.9
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• ZRF8205
• 工作频率 (GHz) 10~13
• 通道数 8
• 增益(dB) 19
• IP1dB(dBm) -38
• 噪声系数 (dB) 1.8
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装 方式 WLCSP
• 芯片尺寸 (mm) 4.4×4.4
• 了解详情

• ZRF8211
• 工作频率 10~13
• 通道数 2×8(双波束)
• 增益（dB) 12
• IP1dB(dBm) -30
• 噪声系数(dB) 3.1
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装 方式 WLCSP
• 芯片尺寸(mm2) 5.4×4.4
• 了解详情

• ZRF8301
• 工作频率 (GHz) 17.5~22
• 通道数 4
• 增益(dB) 14
• IP1dB(dBm) -25
• 噪声系数 (dB) 4.3
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装 方式 WLCSP
• 芯片尺寸 (mm) 4.25×3.86
• 了解详情

• ZRF8302
• 工作频率 (GHz) 17.5~21
• 通道数 4
• 增益(dB) 25
• IP1dB(dBm) -35
• 噪声系数 (dB) 1.6
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si+GaAs
• 封装 方式 WLCSP
• 芯片尺寸 (mm) 7.2×3.86
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• ZRF8303
• 工作频率 (GHz) 17.5~22
• 通道数 8
• 增益(dB) 20
• IP1dB(dBm) -30
• 噪声系数 (dB) 4.3
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装 方式 WLSCP
• 芯片尺寸 (mm) 5.25×6.02
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• ZRF8365
• 工作频率 (GHz) 17.5~21.5
• 通道数 8
• 增益(dB) 19
• IP1dB(dBm) -40
• 噪声系数 (dB) 2.7
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装 方式 WLCSP
• 芯片尺寸 (mm) 4.4x4.4
• 了解详情

• ZRF8366
• 工作频率 (GHz) 17.5~21.5
• 通道数 2*8(双波束）
• 增益(dB) 10
• IP1dB(dBm) -39
• 噪声系数 (dB) 3.1
• 移相位数 6
• 衰减位数 6
• 工艺 Si
• 封装 方式 WLCSP
• 芯片尺寸 (mm) 4.4×7.2
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